Use you own ideas to complete the sentences. Use the past continuous. Example: a) ...when I met my friend — I was walking home when I met my friend, b) I had a very

I was playing phone games when the telephone rang (Я убирался в комнате, когда зазвонил телефон).
Shе was talking to her ex-boyfriend when she saw ее yesterday (Она говорила со своим бывшим парнем, когда она увидела ее вчера).
Не was going to school when he heard the voice (Он шел в школу, когда услышал голос).
The dog was rummaging for the food when they opened the door (Пес рылся в поисках еды, когда они открыли дверь).
We were having a great time on the beach when it started raining (Мы хорошо проводили время на пляже, когда начался дождь)
The telephone rang while he was sleeping (3aзвонил телефон, когда он спал).
We wrote e-mails while he was babysitting (Мы написали электронные сообщения, пока он сидел с ребенком).
Не ran away while mother was cooking dinner (Он убежал, пока мама готовила обед).
They had a very good time while they were living in the country (Они хорошо проводили время, когда жили загородом).

3. Приведите УГО транзисторов двух типов n-р-n- и р-n-рструктуры. Как маркируются такие транзисторы?

5. Объясните принцип работы БТ, включенного по схеме с

ОБ, в активном режиме при воздействии на его переходы только

постоянного напряжения.

6. Какие изменения возникнут в работе транзисторной

схемы, если на вход транзистора, включенного по схеме с ОБ и

работающею в активном режиме, подать переменный сигнал, а на

выходе включить активную нагрузку?

7. Назовите токи, текущие во внешних цепях транзистора.

Запишите первый закон Кирхгофа для токов транзистора,

работающего в активном режиме.

8. Приведите семейства статических входных и выходных

характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ.

Объясните их ход.

9. Приведите уравнение нагрузочной прямой. Расскажите,

как можно построить нагрузочную прямую. Для каких целей

используют на практике статические характеристики

транзистора? Нагрузочную прямую?

10. Изобразите схему усилителя на транзисторе, включенном

по схеме с ОБ. Назовите ее основные параметры и область

применения.

Объяснение:

Элементами режима резания являются: глубина резания, подача и скорость резания.

Глубина резания t (мм) – расстояние между обрабатываемой и обработанной поверхностями, измеренное по нормали к последней. При точении – это толщина слоя металла срезаемого за один проход резца. При обтачивании, растачивании, рассверливании

t = (D – d) / 2,

где D – наибольший диаметр касания инструмента с деталью, мм;

d – наименьший диаметр касания инструмента с заготовкой, мм.

 При сверлении                             t = D / 2,

где D – диаметр отверстия, мм.

При отрезании и вытачивании канавки глубина резания соответствует ширине прорези, выполняемая резцом за один проход.

Подача (мм/об) – величина перемещения инструмента за один оборот заготовки. Различают продольную, поперечную и наклонную подачи в зависимости от направления перемещения резца. Рекомендуется для данных условий обработки выбирать максимально возможную величину подачи.

Скорость резания V (м/мин) – путь, который проходит наиболее удаленная от оси вращения точка поверхности резания относительно режущей кромки в направлении главного движения в единицу времени. Скорость резания для станков с главным вращательным движением (токарных, сверлильных, фрезерных) подсчитывается по формуле

V = pDn / 1000 » Dn / 320,

где D – наибольший диаметр заготовки (при токарной обработке),

диаметр сверла (при сверлении) или диаметр фрезы (при фрезеровании), мм;

n – частота вращения заготовки или инструмента, об/мин.

       Режим резания, который обеспечивает наиболее полное использование режущих свойств инструмента и возможностей станка при условии получения необходимого качества обработки, называется рациональным.

Для повышения производительности труда рекомендуется работать с возможно большим режимом резания. Однако его увеличение ограничивается