Автомобиль двигаясь с ускорением увеличивал свою скорость от 3 м/с до 9м/с за 6 секунд найдите ускорение

9м/с-3м/с=6м/с 6м/с делим на 6 с 1м/с^2

A=v-v0/t=9-3/6=1(м/с2)

Полупроводники бывают:

1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;

2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;

3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.

Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.

Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.

Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .

В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.

В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.

Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.

Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник

В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.

В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .

Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.

Объяснение:

Линза является рассеевующей, значит изображение будет мнимым.

Из кончика стрелки(B) проводим перепендикуляр( делаем прямой угол ) к линзе( вертикальная линия ). Т.к. линза рассеивующая, то преломляться свет будет по-другому, чем у собирающей линзы, поэтому преломление будет ( пунктирная стрелка ) будет в первом фокусе (F1). Проводим вторую стрелку. Она не будет преломляться, она будет ровно проходить через оптический центр ( точка пересечения горизонтальной и вертикальной линий ). Таким образом, мы при пересечении 2 стрелок получим общую точку. Из этой точки проводим стрелку к оптической оси( горизонтальная линия ) под таким же углом, что и первая стрелка (AB). Обозначаем другими буквами.

A1B1 — мнимое изображение AB; уменьшенное.