Центростримительное ускорение точки, обращающейся по окружности радиусом 2м, ровно 8м/с^2.определить частоту обращения точки

A=8 м/с^2  r= 2м  v=?               a=4*п(пи)*v^2*r   v=a/4*п(пи)^2*r^2=8/4*3,14^2*2^2                        

1)В проводнике всегда имеются свободные носители заряда, это его почти неотъемлемое свойство. В полупроводнике эти носители вот-вот появились бы, но "в норме" их нет; они появляются при определённых условиях, при добавлении каких-то примесей (легировании) и т. п.

Таким образом, образованием и исчезновением носителей полупроводника можно управлять технологически.

Например, соединив два куска проводника разного легирования, можно изготовить диод, который проводит ток только в одном направлении; соединив три куска, можно изготовить транзистор, в котором ток в одном куске управляет прохождением тока через два других (электронный вентиль) ; можно изготовить фотоэлемент, который под воздействием света будет менять свою проводимость и так далее.

2)При повышении температуры электролита возрастает средняя кинетическая энергия теплового движения молекул, увеличивается и число пар ионов, образующихся в единицу времени. Из-за увеличения концентрации ионов при повышении температуры значение электрического сопротивления электролита с повышением температуры уменьшается.

3)Чтобы убедиться в том, что в кольцевом сверхпроводнике действительно устанавливается неизменный ток, можно проверить неизменность магнитного поля, созданного сверхпроводником.

4)Дырочная проводимость (р-проводимость) — Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике.

5)Акцепторная примесь - (от лат. acceptor принимающий) примесь в полупроводнике, ионизация которой сопровождается захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный пример акцепторной примеси - атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках.

6)Какую примесь надо ввести в полупроводник, чтобы получить полупроводник n-типа? Полупроводник n-типа означает, что основные носители зарядов отрицательны (n - negativ), значит нужна примесь, которая "даёт" электроны, например, мышьяк As. Тот, кто даёт электроны - донор, как и тот кто кровь даёт.

7)В контакте двух проводников n- и p-типов происходит диффузия основных носителей заряда из одного проводника в другой, получится п-р или р-п переход.

8)При использовании p-n-перехода в реальных полупроводниковых приборах к нему может быть приложено внешнее напряжение. Величина и полярность этого напряжения определяют поведение перехода и проходящий через него электрический ток. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При изменении указанной полярности включение p-n-перехода называют обратным.

При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, рисунок 2. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.

9)Ионная проводимость - это проводимость водных растворов или расплавов электролитов, которая осуществляется ионами. Электролиз - процесс выделения на электроде вещества, связанного с окислительно-восстановительными реакциями.

10)Электролиз находит применение в очистке сточных вод (процессы электрокоагуляции, электроэкстракции, электрофлотации). Применяется для получения многих веществ (металлов, водорода, хлора и др.), при нанесении металлических покрытий (гальваностегия), воспроизведении формы предметов (гальванопластика).

Объяснение:

Бро, пыталась, честно!

0,48 ; 21 ; 15

Объяснение:

Задание 1) ЭДС E равно сумме всех напряжений в цепи.

, где Ir - потери на внутреннем сопротивлении источника,

- напряжение на резисторе, - напряжение на лампочке

Вольтметр показывает напряжение на резисторе.

Выразим напряжение на лампочке:

(В)

Вычислим мощность, потребляемую лампочкой:

(Вт)

ответ: 0,48 (Вт)

Задание 2) Запишем мощность по формуле: ;

Сила тока уменьшилась в 2 раза, следовательно по формуле сила тока уменьшилась в 4 раза. Распишем сопротивление как: , где p - удельное сопротивление проводника, l - его длина, S - площадь его поперечного сечения.

По условию l увеличили в 2 раза, но уменьшение тока больше этого увеличения, следовательно мощность уменьшится.

Используя предыдущие рассуждения выходит, что сопротивление увеличилось.

ответ: 21

Задание 3) В данной электрической цепи есть два соединения: параллельное и последовательное. Вычислим сопротивление параллельного соединения резисторов:

теперь последовательного: (Ом)

ответ: 15 (Ом)