Гідравлічний домкрат піднімає машину вагою 20кн. до малого поршня домкрата силу 400н .чому дорівнює площа великого поршня , якщо площа малого - 2см/квадратних?

Тело будет тонуть в жидкости в том случае, если плотность тела больше плотности жидкости.

Условие плавучести тел можно записать уравнением:

      F = Fₐ - P = ρ(ж)gV - ρ(т)gV = gV·(ρ(ж) - ρ(т))

где  Fₐ - выталкивающая сила, действующая на полностью

             погруженное в жидкость тело, Н

      Р - вес тела, Н

      ρ(ж) - плотность жидкости, кг/м³

      ρ(т)  - плотность тела, кг/м³

      g = 9,81 Н/кг - ускорение свободного падения

      V - объем тела, м³

Очевидно, если плотность жидкости будет меньше плотности тела, то величина выталкивающей силы Fₐ будет меньше веса тела Р, результирующая сила F будет направлена вниз, и тело в данной жидкости утонет.

Для заданной плотности тела 700 кг/м³ меньшей плотностью обладает при нормальных условиях:

      рыбий жир                    ρ(ж) = 645 кг/м³

Полупроводники бывают:

1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;

2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;

3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.

Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.

Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.

Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .

В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.

В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.

Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.

Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник

В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.

В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .

Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.