На какой глубине в озере давление воды равно 412 кпа? а. 40м б. 25м в. 24.3м г. 31.2м

Правильный ответ а ,можно вычислить по формуле давление=ghp ,где  p- плотность воды т.е давление = 10 *40 *1000 приблизительно получается 400 кпа

Различают следующие виды осадки.

Проектная или расчётная осадка, или вертикальное расстояние от верхней кромки киля до уровня главной ватерлинии, измеренное на половине длины корпуса. В технической документации обозначается как T.

Проектная осадка по мидельшпангоуту — расстояние от ватерлинии до наружной кромки обшивки у киля.

Осадка носом, измеряемая по носовой точке погружения, или у носовой марки.

Осадка кормой, измеряемая по кормовой точке погружения, или у кормовой марки.

Средняя осадка — среднее арифметическое значение носовой и кормовой осадки.

Для измерения осадки на корпусе корабля наносятся марки углубления. В большинстве флотов мира марки углубления наносятся по вертикали от концевых точек прямой линии киля до главной ватерлинии с обоих бортов судна. В англо-саксонских странах (но не только в них) долей марки является фут.

Для судов с большой осадкой затруднён, либо невозможен вход в мелководные районы моря, гавани, порта, а также в устья рек. Осадка судна является мерилом его грузоподъемности. Уменьшение осадки 200 000-тонного танкера всего на 0,5 метра приводит к потере от 6 000 до 8 000 тонн его грузоподъемности[1].

Океаны и моря достаточно глубоки для плавания любых кораблей и судов с любыми максимальными размерами, однако каждый корабль или судно должно еще войти в базу или в порт с грузом или по крайней мере стать на рейде, что ограничивает возможную осадку кораблей и судов 30 — 35 метрами.

Объяснение:

Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.

Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.

Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.