Определите, сколько молей и молекул содержится в 100 граммах азотной кислоты nho3m=14+1+48=63 г/мольню =m/m=100/63=1,587 моль
Pautova1119
03.07.2021
1)напишем формулу для определения кинетической энергии: ек=m(v^2)/2=7.9*(10^(-3))*511225/2=2019 дж=2,019кдж.ответ: 2,019кдж 2)v=10 м/с кинетическая энергия: e=50 дж e=mv²/2 ⇒ m=2e/v²; m=2*50/100=100/100=1 кг; m-? ответ: m=1 кг.
vrn3314
03.07.2021
Дырочные полупроводники. , легированный акцепторной примесью, называют полупроводником дырочного типа (р-типа) проводимости или дырочным полупроводником.дырочная проводимость создается в результате легирования по элементами, имеющими меньшую валентность, чем валентность атомов, из которых состоит полупроводник. например, для si и ge, являющимися элементами четвертой группы таблицы менделеева, в качестве акцепторных примесей применяют элементы третьей группы, как правило это 5b, 13al, 31ga, 49in.замещая узлы кристаллической решетки , атомы акцепторной примеси захватывают валентный электрон от соседнего атома кремния для создания ковалентных связей с атомами основного вещества, превращаясь при этом в отрицательно заряженные ионы, и участвуют в создании дополнительных энергетических уровней в запрещенной зоне , как показано на рис. 1.26.механизм появления дырочной проводимости иллюстрируется на рис. 1.26, а. при образовании ковалентной связи с атомами si или ge все три валентных электрона атома акцепторной примеси участвуют в образовании ковалентных связей. для создания четвертой (незавершенной) связи может быть захвачен электрон из ковалентных связей одного из ближайших соседних атомов кремния. у этого атома, в свою очередь, появляется незавершенная связь с соседним атомом кремния, которая называется дыркой.у дырки существует слабая электростатическая связь с атомом кремния. энергия этой кулоновской связи dwa, как и в случае электронных полупроводников, невелика и составляет всего 0,,07 эв. поэтому для захвата дыркой электрона из ковалентной связи соседнего атома достаточно небольшой энергии, которую электрон может получить за счет тепловых колебаний кристаллической решетки. в результате обмена электронами между соседними атомами дырка может перемещаться по кристаллу полупроводника, осуществляя при приложении внешнего электрического поля дырочную проводимость.