Воздух, находящийся в цилиндре под поршнем, сжимают. в каком случае давление воздуха будет больше? 1)при изобарическом сжатии 2)при изотермическом сжатии 3)при адиобатическом сжатии

3)при адиабатическом сжатии

потому что при изобарном сжатии давление не меняется
при изотермическом давление растет только за счет уменьшения объема
при адиабатном сжатии давление растет за счет уменьшения объема и увеличения температуры газа

ДАНО

Пр = 600 кг/м³ - плотность ручки (дерева).

Мр = 1/6*Мт - часть массы от всего топора.

Vp = 1/2*Vт -  часть объёма от всего топора.

НАЙТИ

Рт = ? - плотность камня.

РЕШЕНИЕ

Собираем топор из ручки и камня. Пишем уравнения.

Мт = Мк + Мр - масса топора.

Мк = 5*Мр - масса камня в 5 раз больше массы ручки.

Вычисляем через объёмы.

V т =  Vр +  Vк

Vк =  Vр  - объёмы камня и ручки равны 1/2 объёма топора.

Мр = Vр * Пр = 600*Vр

Мк = 5*Мр = 3000*Vр = Пк*Vк.

Пк = Мк : Vк = 3000 кг/м³ -плотность камня - ОТВЕТ.

Дополнительно человеческим языком:

Масса   в 5 раз больше  при равном объеме - плотность в 5 раз больше..

Объяснение:

Объяснение:

Дырочные полу­провод­ни­ки. Полупроводник, леги­ро­ван­ный ак­­цепторной при­месью, на­зы­вают полу­про­во­д­­ником дырочно­го ти­­па (р-типа) проводимости или дырочным полу­провод­ником.Дырочная проводимость создается в результате легирования по­­­­лупроводника элементами, име­ющими меньшую валентность, чем валентность атомов, из кото­рых состоит полу­про­вод­ни­к. На­­при­­­мер, для Si и Ge, являющимися эле­мен­тами четвертой груп­пы таб­ли­­­цы Мен­де­­­леева, в качестве акцепторных примесей при­ме­ня­ют эле­­ме­н­­­ты третьей группы, как правило это 5B, 13Al, 31Ga, 49In.Замещая узлы кристаллической решетки полупроводника, ато­­мы акцепторной примеси захватывают валентный эле­к­т­ро­н от со­­се­д­­не­го атома кремния для создания ковалентных связей с ато­ма­ми ос­­­новного ве­ще­ст­ва, превращаясь при этом в отрицательно за­­ря­­жен­­ные ионы, и уча­ст­вуют в создании дополнительных энер­ге­­ти­че­с­ких уров­ней в за­прещенной зоне полупроводника, как по­ка­­зано на рис. 1.26.Механизм появления дырочной проводимости иллюстрируется на рис. 1.26, а. При образовании химической ковалентной связи с ато­­­­­ма­­­ми Si или Ge все три валентных электрона атома акце­п­то­р­ной при­­меси уча­­ст­ву­ют в образовании ковалентных связей. Для со­з­­­да­ния че­твертой (не­за­­вер­шен­ной) химической связи может быть захвачен электрон из ко­ва­ле­нтных свя­­зей одного из бли­жай­­ших со­седних атомов кре­м­ния. У это­го атома, в свою оче­редь, по­я­в­ля­ет­ся незавершенная связь с со­сед­ним атомом кре­м­ния, ко­торая на­зы­ва­­ется дыркой.У дырки су­ще­­ству­ет сла­бая эле­­к­­­­т­ро­ста­ти­чес­кая связь с атомом кремния. Эне­р­гия этой куло­но­в­с­кой свя­з­и DWa, как и в случае электронных по­лу­­про­­во­д­ни­ков, не­­велика и со­­став­ля­­­ет всего 0,01...0,07 эВ. По­э­тому для зах­ва­та дыр­­кой элек­трона из ко­валентной связи соседнего атома до­­­ста­то­ч­но неболь­шой эне­р­­гии, ко­торую эле­к­трон мо­жет по­лу­чить за счет тепловых ко­ле­ба­ний кри­­с­тал­­­ли­че­с­­кой ре­ше­тки. В ре­зу­льтате об­­мена электронами между со­седними атомами дырка мо­­жет пе­ре­­мещаться по кристаллу по­лу­­про­вод­ника, осу­ществляя при при­ло­­жении внешнего эле­к­т­ри­че­с­кого по­ля ды­ро­ч­ную про­во­ди­мость.