Какова масса кусочка алюминия, который при погружении вытесняет 1 см³воды?

Незнаю

Дано:
ρ=2,7 г/см3
V=1  см3
m-?
Решение
m=ρ×V
m=2,7×1=2,7 г масса алюминия. ρ- его плотность,  V- объем кусочка.

Си́ла упру́гости — сила, возникающая в теле в результате его деформации и стремящаяся вернуть его в исходное (начальное) состояние. В случае упругих деформаций энергия деформации является потенциальной. Сила упругости имеет электромагнитную природу, являясь макроскопическим проявлением межмолекулярного взаимодействия.

Силу упругости обозначают буквой  F  с индексом —  Fупр .

Английский учёный Роберт Гук, современник Ньютона, установил, что

изменение длины тела при растяжении (или сжатии) прямо пропорционально модулю силы упругости. Это называется законом Гука.

Fупр=k⋅Δl , где

Δl  — удлинение тела (изменение его длины),

k  — коэффициент пропорциональности, который называется жёсткостью.

 

Жёсткость тела зависит от формы и размеров, а также от материала, из которого оно изготовлено.

 

Закон Гука справедлив только для упругой деформации.

Объяснение:

Пример:

На книгу, лежащую на столе, также действует сила тяжести, но книга не проваливается сквозь стол, а находится в покое.

 

Подвесим тело на нити. Оно падать не будет.

Тела, лежащие на опоре или подвешенные на нити покоятся, т.к. сила тяжести уравновешивается какой-то другой силой.

Что же это за сила, и как она возникает?

Если после прекращения действия сил, деформирующих тело, оно возвращается в исходное положение, то деформация является упругой.

Биполярный транзистор – это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами (рис. 4.1). Возможны две структуры транзистора: р–n–p и n–p–n.Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзисто­ром прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.Процессы в транзисторах p-n-p и n-p-n аналогичны. Поэтому рассмотрим только один. Возможны четыре режима работы транзистора

Активный режим: эмиттерный переход открыт, коллекторный – за­крыт.

Режим насыщения: оба перехода открыты.

Режим отсечки: оба перехода закрыты.

Инверсный активный режим: коллекторный переход открыт, эмит­терный закрыт.

Во всех аналоговых устройствах транзистор используется в активном режиме. Другие режимы транзистора характерны для импульсных устройств.

Рассмотрим токи через транзистор со структурой p-n-p в активном режиме. Для транзистора структуры n-p-n полярность напряжений на электродах должна быть противоположной. Ток через открытый эмиттер­ный переход равен сумме электронного и дырочного