Сопротивление которых 600 ом и 300 ом , содинены последовательно и подключены к батарейки . напряжение на первом 3в.найдите силу тока в цепи и общее напряжение в цепи

Позначимо кінетичну й потенціальну енергію каменя в момент кидання

енергію Еко й Епо відповідно, а на висоті h - Ек1 й Еп1. Тоді відповідно до  закону збереження енергії: Еко + Епо = Ек1 + Еп1

На висоті h відповідно до умови Ек1 = Еп1. Зважаючи на це, перепишемо  закон збереження енергії в такий б:

Еко + Епо = Ек1 + Еп1 = 2 Еп1

Еко = m ύ0

2/2 Епо = 0 (потенціальна енергія на нульовому рівні)

Еп1 =2mgh Отримаємо: m ύ0  2 /2 + 0 = 2mgh або : ύ0  2 = 4gh

Звідси отримаємо висоту: h = ύ0 2 : 4g

Перевіримо одиниці вимірювання: [ h ] = м2 /с2  :  м/ с2 = м

Обчислимо висоту: h = 100 /4·10 = 2,5 м

Відповідь: h = 2,5 м

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Полупроводник -

- вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры., а это значит, что электрическая проводимость (1/R ) увеличивается.
- наблюдается у кремния, германия, селена и у некоторых соединений.

Механизм проводимости у полупроводников

Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями.
При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и он ведет себя как диэлектрик.

Полупроводники чистые (без примесей)

Если полупроводник чистый( без примесей), то он обладает собственнойпроводимостью? которая невелика. 

Собственная проводимость бывает двух видов:

1) электронная ( проводимость "n " - типа)

При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается.
Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл.поля.
Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.

2) дырочная ( проводимость " p" - типа )

При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка".
Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда.

Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.

Кроме нагревания , разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением ( фотопроводимость ) и действием сильных электрических полей.