1.Сопротивление уменьшается при нагревании у 1) германия, железа; 2) цинка, железа; 3)кремния , германия; 4)ртути, цинка; 2. В полупроводниках р-типа имеется 1) донорная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ; 2) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ; 3) донорная примесь, в результате чего проводимость становится электронной ; 4) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится электронной. 3.Преимущественно электронную проводимость полупроводнику обеспечит введение 1) донорной примеси с валентностью >4; 2) акцепторной примеси с валентностью >4; 3) донорной примеси с валентностью <4; 4) акцепторной примеси с валентностью <4. 4. Если р-n-переход надо закрыть, следует область р-типа подключить к 1)положительному полюсу источника тока; 2) отрицательному полюсу источника тока. 5. Устройством с двумя р-n-переходами является 1)светодиод; 2) диод; 3) транзистор
Ответы
Дано: решение: s = 800 дм² = 8 м² р = 0,3 кпа = 300 па p = f/s => f = ps = 8*300 = 2400 (h) = 2,4 кн найти: f - ? ответ: 2,4 кн
Ответить на вопрос
Поделитесь своими знаниями, ответьте на вопрос:
Vср = S / t.
Рассмотрим первую половину пути:
S₁ = (S/2)
t₁ = S₁/V₁ = S / (2*V₁) = S / 20 = (1/20)*S = 0,05*S ч
Рассмотрим вторую половину пути.
Оставшийся путь
S₂ = (S/2)
Оставшееся время t₂ разобьем на 3 равных промежутка по (t₂ /3) часа
Путь на первой трети остатка:
S₂₁ = V₂₁*(t₂/3) = (20/3)*t₂
Путь на второй трети остатка:
S₂₂ = 0 (ремонт!)
Путь на последней трети остатка:
S₂₃ = V₂₃*(t₂/3) = (5/3)*t₂
Собираем
S₂ = S₂₁+S₂₂+S₂₃ = (20/3)*t₂ + 0 + (5/3)*t₂ = (25/3)*t₂
(S/2) = (25/3)*t₂
t₂ = (3/50)*S = 0,06*S ч
Общее время:
t = t₁ +t₂ = 0,05*S + 0,06*S = 0,11*S
Средняя скорость:
Vcp = S / (0,11*S) = 1 / 0,11 ≈ 9 км/ч