Физика, очень надо Пробирку высотой 50 см переворачивают вверх дном и погружают открытым концом в воду на половину высоты. При этом в пробирку затекает столбик воды высотой 5 см (см. рис Атмосферное давление равно 100 кПа, плотность воды 1000 кг/м3, ускорение свободного падения 10 Н/кг. 1)Найдите давление воздуха внутри пробирки. ответ выразите в килопаскалях, округлите до целого числа. 2) Найдите силу, с которой воздух давит изнутри на плоское дно пробирки, если её можно считать цилиндром с внутренним радиусом 1 см. ответ выразите в ньютонах, округлите до целого числа.

1.До́за излуче́ния — в радиационной безопасности, физике и радиобиологии — величина, используемая для оценки степени воздействия ионизирующего излучения на любые вещества, живые организмы и их ткани.

2.Строгих цифр нет, но в целом ситуация следующая.

Обычно естественный радиационный фон лежит в пределах от 7мкР/ч до 15 мкР/ч (микрорентген в час).

Безопасным считается до 20мкР/ч.

Самый малый естественный фон  - 4-5мкР/ч.

3.Предельно допустимая за год доза излучения для лиц, работающих с радиоактивными препаратами равна 14 мЗв/год, или приблизительно 1,4 Р/год

Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.

Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.

Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.