Какова оптическая сила линзы, если если её фокусное расстояние равно 20 см?

d=1/f

f=0,2м

d=1/0,2=5 дптр

ответ: 5 дптр.

Два шарика подвешены на длинных нитях так, что их центры находятся на одной горизонтали. между шариками зажата связанная нитью пружина. определите максимальную высоту подъема первого шарика относительно первоначального уровня после пережигания нити. известно, что энергия деформации сжатой пружины равна  wn  = 200 мдж, а массы шариков  m1  = 160 г  и  m2  = 240 г.  решение. после пережигания нити потенциальная энергия деформации пружины перейдет в кинетическую энергию шаров wn  = m1v12/2 + m2v22/2. (1) в замкнутой системе сохраняется сумма импульсов 0 = mv1  − mv2. (2) из второго уравнения выразим скорость и подставим в первое уравнение. после преобразований получим квадрат скорости первого шара после взаимодействия с пружиной v12  = 2m2wn/(m1m2  + m12). (3)  из закона сохранения механической энергии для первого шарика (относительно первоначального уровня − условие ) m1v12/2 = m1gh1, выражаем  h1, с учетом замены (3) h1  = v12/(2g) = 2m2wn/(2g(m1m2  + подставим численные значения h1  = 2 × 0,24 × 0,2/(2 × 10 × (0,16 × 0,24 + 0,162)) = 0,075 (м) = 75 мм.  ответ :   h1  = 75 мм .

ответ:

объяснение:

при обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. этот ток называется обратным. т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. p-n-переход при обратном напряжении uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +qобр и –qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. эту емкость называют барьерной емкостью. барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости и уменьшении толщины запирающего слоя. особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость сб, уменьшается. характер этой зависимости показывает график на рисунке. как видно, под влиянием напряжения uобр емкость сб изменяется в несколько раз. зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. при достижении обратным напряжением критического значения uпр обратный ток резко возрастает. этот режим называется пробоем p-n–перехода. с практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может к разрушению кристалла и является аварийным режимом. электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. одним из важных параметров приборов с электронно-дырочными является допустимое обратное напряжение uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.