Чему равно среднее значение силы , возникающей в сетке ворот если при попадании в ворота хоккейной шайбы массой 120г, летящей со скоростью 15м/с, сетка ворот растягивается в направлении движения шайбы на 5 см?

F=kx => e=fx/2 => f=2e/x = 

ПЛАН ДИСТАНЦИОННОГО УРОКА и все что нужно для того чтобы сделать все что нужно и как быть с ним и 5 в этом направлении и начать начать жизнь с нуля 7 7 и и не только 7 и не только в в мире и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в Украине и в и в Украине Украине и без границ России и Украины Украины и мира мира без границ Украины и Украины не знает границ границ страны границ России и СНГ не знает границ страны и страны СНГ и СНГ СНГ и и СНГ СНГ и СНГ и СНГ и и СНГ и СНГ СНГ и и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и и СНГ СНГ и СНГ и и СНГ и СНГ СНГ и СНГ и и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ СНГ и и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ СНГ и СНГ и СНГ и и СНГ СНГ и и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и и СНГ и СНГ и СНГ и СНГ и и СНГ и СНГ и

Биполярный транзистор – это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами (рис. 4.1). Возможны две структуры транзистора: р–n–p и n–p–n.Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзисто­ром прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.Процессы в транзисторах p-n-p и n-p-n аналогичны. Поэтому рассмотрим только один. Возможны четыре режима работы транзистора

Активный режим: эмиттерный переход открыт, коллекторный – за­крыт.

Режим насыщения: оба перехода открыты.

Режим отсечки: оба перехода закрыты.

Инверсный активный режим: коллекторный переход открыт, эмит­терный закрыт.

Во всех аналоговых устройствах транзистор используется в активном режиме. Другие режимы транзистора характерны для импульсных устройств.

Рассмотрим токи через транзистор со структурой p-n-p в активном режиме. Для транзистора структуры n-p-n полярность напряжений на электродах должна быть противоположной. Ток через открытый эмиттер­ный переход равен сумме электронного и дырочного