Схемы электронного строения se, te, po.

Se 1s² 2s²  2p⁶  3s²  3p⁶  3d¹°  4s² te   1s² 2s²  2p⁶  3s²  3p⁶  3d¹°  4s²  4p⁶  4d¹°  5s² po  1s² 2s²  2p⁶  3s²  3p⁶  3d¹°  4s²  4p⁶  4d¹°  4f¹⁴  5s²  5p⁶  5d¹°  6s²

1) оксид серы 4 : so2 - кислотный оксид  реагирует с: кислотный оксид + основание → соль + вода кислотный оксид + основный оксид → соль кислотный оксид + вода → кислота2) оксид серы 6 : so3 -кислотный оксид свойства те же    3) гидроксид серы - h2so4  кислота + основание → соль + вода кислота  +  оксид металла  →  соль  +  вода кислота + металл → соль + водород кислота + соль → новая кислота + новая соль4) гидроксид серы - h2so3 свойства те же

Механизм галогенирования анилина - электрофильное замещение ( se) aминогруппа nh2 в анилине является   электронодонорным заместителем, или заместителем 1 рода, и обладает +м эфектом, т.е. свободная эл.пара вступает в сопряжение с 6п электронной системой бензола, вследствие этого повышенная эл плотность концентрируется в положениях 2, 4, 6 от аминогруппы (т.е. в орто, пара положениях) т.е. электрофильная частица (галоген при наличии катализатора) замещает водород в орто или пара положении бензольного кольца анилина с образованием орто-галогенанилина или пара-галогенанилина и галогеноводорода