Сколько атамов каждого элемента имеется в молекуле

Ну...
это будет зависеть от состава молекулы
Молекул много и состав у низ разный
Смотри,к примеру:
молекула воды H₂О имеет в составе 2 атома водорода и 2 атома кислорода,состоит только из 2-х элементов-водорода и кислорода
а вот,например,молекула азотной кислоты-НNO₃.В ней будет содержаться 1 атом водорода,1 атом азота и 3 атома кислорода
Здесь уже 3 хим.элемента
а вот если мы посмотрим на молекулу простого вещества:О₂-2 атома кислорода
Таким образом,кол-во атомов каждого элемента зависит от состава молекулы

Аланин или 2-аминопропановая кислота.

Аминокислоты не реагируют с серной кислотой, только с соляной и азотной кислотами.

~ 1) Аланин + соляная кислота = гидрохлорид аланина: CH3-CH(NH2)-COOH + HCl → CH3-CH(NH3Cl)-COOH

• Аминогруппа -NH2- определяет основные свойства аминокислот.

~ 2) Реакция этерификации: аланин + гидроксид натрия = натриевая соль аланина + вода:

CH3-CH(NH2)-COOH + NaOH → CH3-CH(NH2)-COONa + H2O

• Карбоксильная группа -COOH- определяет кислотные свойства аминокислот.

~ 3) Gly - глицин (NH2-CH2-COOH)

Phe - фенилаланин (C6H5-CH3-CH(NH2)-COOH); где C6H5 - кольцо

C6H5-CH3-CH(NH2)-COOH + H-NH-CH2-COOH → C6H5-CH3-CH(NH2)-C(=O)-N(-H)-CH2-COOH + H2O

~ 4) не понятно какое вещество вы имели в виду, но щелочной гидролиз дипептида можно представить вот такой схемой:

H2N-CH(R1)-CONH-CH(R2)-COOH + 2NaOH → H2N-CH(R1)-COONa + H2N-CH(R2)-COONa, где R1 и R2 - радикалы.

При утворенні хімічного зв’язку атоми прагнуть до того, щоб на їхзовнішньому енергетичному рівні було два або вісім (октет) електронів.Цього можна досягти декількома Найпоширеніший з нихполягає в об’єднанні неспарених електронів у спільні електронні пари,приналежні одночасно обом атомам. Так кожний атом Гідрогену приутворенні молекули водню буде намагатися притягнути на свою електрон-ну оболонку додатковий електрон і таким чином отримати електроннуконфігурації інертного газу. Під час взаємного притягнення ядер атомівта електронних оболонок дві s-орбіталі атомів Гідрогену перекриваютьсяі в місці перекривання утворюється підвищена електронна густина