На каком уровне прямоугольник длина 4 см ширина 3 см можно разделить квадрат со стороной 6 м при условии что квадрат можно разбить на две части

Петр=x

Владимир=y

Михаил=z

Время которое надо найти w

Дано:

1)x+y=22/40=11/20(ящика в минуту)

2)z+x=30/50=3/5(ящика в минуту)

3)z+y=41/60(ящика в минуту)

4)x+y+z=22/w(ящика в минуту)

Выводим x

1)y=11/20-x

2)z=3/5-x

3)подставляем к 3

11/20-x+3/5-x=41/60

-2x=(41-69)/60(вывел в одинаковый знаменатель)

-2x=-28/60

x=14/60

4)x+11/20-x+3/5-x=22/w

33/60+36/60-14/60=22/w

55/60=22/w

w=22/1*60/55=120/5

w=24

ответ за 24 минуты.

И 110/60 никак не получается потому что это приблезительно 2 ч

а это гораздо больше чем каждый из них вдвоем

Подложка — термин, используемый в материаловедении для обозначения основного материала, поверхность которого подвергается различным видам обработки, в результате чего образуются слои с новыми свойствами или наращивается плёнка другого материала.

Подложка в фотоматериалах и киноматериалах — основа фотоплёнки/фотопластины, служащая носителем эмульсионных слоёв.

Подложка в микроэлектронике — это обычно монокристаллическая полупроводниковая пластина, предназначенная для создания на ней плёнок, гетероструктур и выращивания монокристаллических слоев с процесса эпитаксии (гетероэпитаксии, гомоэпитаксии, эндотаксии), кристаллизации и т. д.

При выращивании кристаллов большое значение имеют условия сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию дефектов в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение буферного слоя для предотвращения возникновения множественных дислокаций.