?>
1. Назначение оксидных слоев в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. 2. Методы получения пленок SiO2 при окислении кремния (сухое, влажное, пирогенное окисление 3. Сравнительная характеристика технологических параметров окисления кремния и свойств получаемых пленок. 4. Вакуумные и другие методы осаждения пленок SiO2. 5. Выбор метода получения SiO2 для формирования пленок заданного качества и назначения. 6. Использование и получение пленок Si3N4.
Ответы