Надо составить на силу трения по 7 класс

Какую силу нужно затратить, чтобы сдвинуть с места шифоньер массой 60 кг? коэффициент трения 0.2

Таблица 18. давление насыщенного пара воды и ртути при различных температурах (в мм рт. ст.) температура,  водартутьтемпература,  водартуть04,580,000211007600,282017,50,001312014890,764055,30,006514027111,85601490,0262001166017,2803550,09230064450245905260,163741655301100 из графика зависимости давления насыщенного пара воды от температуры (рис. 481) видно, что приращение давления, соответствующее увеличению температуры на  , растет с температурой. в этом заключается отличие насыщенного пара от газов, давление которых при нагревании на    одинаково увеличивается и при низких и при высоких температурах (на 1/273 давления при  ). это отличие станет вполне понятным, если вспомнить, что при нагревании газов при постоянном объеме меняется только скорость молекул. при нагревании системы жидкость — пар меняется, как мы указали, не только скорость молекул, но и их число в единице объема, т. е. при большей температуре мы имеем пар большей плотности.рисунок 481. зависимость давления насыщенного пара воды 293.1.  почему газовый термометр (§ 235) дает правильные показания только при совершенно сухом газе? 293.2.  предположим, что в замкнутом сосуде, кроме жидкости и пара, находится еще воздух. как это отразится на изменении давления с повышением температуры? 293.3.  изменение давления пара в замкнутом сосуде при повышении температуры изображается графиком, показанным на рис. 482. какое заключение можно вывести относительно процессов испарения внутри сосуда? рис. 482. к 293.3

в проводниках перенос тока осуществляется свободными электронами,которые слабее всего связаны с внешними оболочками атомов. Электроны текут от минуса к плюсу(против официально принятого направления тока от плюса к минусу) поскольку электроны текут от минуса к плюсу,то суммарно остающийся на атомах положительный заряд как бы движется от плюса к минусу. в расстворах заряд переносится ионами:положительные притягиваются к минусу,а отрицательные к плюсу,при этом происходит перенос материала и отложение на электроде.

в полупроводниках есть либо вкрапления с избыточными электронами,либо с меньшим колличеством. Если избыток электронов,то они перемещаются к границе с одной стороны,а на другой стороне образуется недостаток электров за счет удаления под действием поля электронов от границы (пограничного перехода)

если в примеси не хватало электронов,

то избыток дырок(мест где не хватает электрона) значит мнимо в дырке положительный заряд и под воздействием поля электрон зпрыгает из дырки в дырку и визуально двигается дырка.