Если за восьмую секунду с момента начала движения тело прошло путь

Объяснение:

1. Регистрация частиц с счётчика Гейгера, изучение и фотографирование треков частиц (в том числе участвовавших в ядерных реакциях) в камере Вильсона и пузырьковой камере.

2. Силы притяжения, действующие между нуклонами в ядрах атомов и веско превосходящие силы электростатического отталкивания меж протонами.

3. Малая энергия, нужная для расщепления ядра на отдельные нуклоны.

4. Самопроизвольное излучение атомами неких частей радиоактивных лучей.

5. Устройство, предназначенное для воплощения управляемой ядерной реакции.

6. Состоит из нуклонов (т. е. из протонов и нейтронов).

7. Радиоактивные отходы, возможность аварий, содействие рас ядерного орудия.

8. Атом состоит из размещенного в его центре позитивно заряженного ядра, вокруг которого на расстоянии, веско превосходящем размер ядра, обращаются электроны.

9. Перевоплощение 1-го хим элемента в иной при - либо -распаде, в результате которого ядро начального атома претерпевает изменения.

10. Разность меж суммой масс нуклонов, образующих ядро, и массой этого ядра.

11. Самоподдерживающаяся реакция дробленья тяжёлых ядер, в которой постоянно воспроизводятся нейтроны, разделяющие всё новые и новые ядра.

12. Энергия ионизирующего излучения, поглощённая излучаемым веществом (в частности, тканями организма) и рассчитанная на единицу массы.

Від типу речовини.

Від площі перерізу S

Від довжини провідника l

Від температури

Объяснение:

Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір  матеріалу, з якого зроблений провідник.

Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.

Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.