Малый поршень гидравлического пресса имеет площадь 2 см2, а большой – 150 см2. определить силу давления, действующую на большой поршень, если к малому приложена сила 30 н.

Тут решается через пропорцию
2/30=150/ х
х=150*30/2=2250

Дано S1=2см2    S2=150см2      F1=30 Н   F2- ?

F1/S1=F2/S2

F2=F1*S2/S1=30*150/2=2250 Н

ответ F2=2250 Н

7  мая в клубе военной части было проведено мероприятие    «  дети войны»,

  к  65-й годовщине великой победы.

слова светланы алексеевич из книги  «дети войны»

наиболее полно дадут характеристику данному мероприятию и его целям:

 

« беспощадной волей войны оказывались в пекле страданий и невзгод и осилили, вынесли то, что, казалось бы, и взрослому преодолеть не всегда под силу.война отбирает у мальчиков и девочек детство – настоящее, солнечное, с книгами и тетрадями, смехом, играми и праздниками.самой природой, условиями существования рода человеческого детям предназначено жить в мире! что помнят они? что могут рассказать? должны рассказать. потому что и сейчас где-то тоже рвутся бомбы, свистят пули, рассыпаются от снарядов на крошки, пыль дома и горят детские кроватки. потому что и сегодня хочется кому-то большой войны, вселенской хиросимы, в атомном огне которой дети испарялись бы, как капли воды, засыхали бы, как страшные цветы.как сохранить планету людей, чтобы детство никогда больше не называлось войной? »

и самый главный ответ на поставленный вопрос звучит так:   «  нужно помнить ужасы войны».

 

в этот день попытались напомнить об этих ужасах войны организаторы мероприятия: л.в.бондаренко, в.в.калинина, с.п.одинцова, а так же участники - учащиеся нашей школы, которые выступили в роли рассказчиков, чтецов стихотворений, исполнителей военных песен.

на мероприятие были приглашены дети войны ,  детство которых закончилось 22 июня 1941 года,    представители поколения у которого украли детство. у каждого из них своя военная судьба, о которой они поведали живущим в мирное время .

 

затаив дыхание смотрели  на все происходящее в зале зрители .

Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.

Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.

Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.

Примесными центрами могут быть:

атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;

избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;

различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.

Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.

Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).

Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As5+, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.

Энергия отрыва (энергия ионизации) пятого валентного электрона мышьяка в кремнии равна 0,05 эВ = 0,08·10−19 Дж, что в 20 раз меньше энергии отрыва электрона от атома кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка теряют один из своих электронов и становятся положительными ионами. Положительные ионы мышьяка не могут захватить электроны соседних атомов, так как все четыре связи у них уже укомплектованы электронами. В этом случае перемещения электронной вакансии — «дырки» не происходит и дырочная проводимость очень мала, то есть практически отсутствует. Небольшая часть собственных атомов полупроводника ионизирована, и часть тока образуется дырками, то есть донорные примеси — это примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок. В итоге мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа.

В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In3+ атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает». Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.

Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа.

Необходимо отметить, что введение примесей в полупроводники, как и в любых металлах, нарушает строение кристаллической решетки и затрудняет движение электронов. Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. Так, введение примеси бора в количестве 1 атом на сто тысяч атомов кремния уменьшает удельное электрическое сопротивление кремния приблизительно в тысячу раз, а примесь одного атома индия на 108 — 109 атомов германия уменьшает удельное электрическое сопротивление германия в миллионы раз.

Возможность управления удельным сопротивлением благодаря введению примесей используется в полупроводниковых приборах.

Дырочная проводимость не является исключительной особенностью полупроводников. У некоторых металлов и их сплавов существует смешанная электронно-дырочная проводимость за счет перемещений некоторой части неколлективированных валентных электронов. Например, в цинке, бериллии, кадмии, сплавах меди с оловом дырочная составляющая электрического тока преобладает над электронной.

Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости (n- или p-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока — электронов или дырок.

Объяснение: