Вывидите из закона сохранения внутреней энергии уравнение теплового

Вобщем - изменение внутренней энергии системы равно сумме из работы внешних сил и количества теплоты, которое эта система получила из вне или отдала. записывается это так: dU = A + Q.
теперь представим, что система у нас изолированная, т.е. А=0 и Q=0, тогда и изменение внутренней энергии системы dU = 0. говоря, простым языком если система у нас состоит из одного единственного тела и она изолирована, то его температура все время будет постоянной.
если же система состоит допустим из двух тел и одно более горячее чем другое, то при соприкосновении этих тел тепловая энергия будет передаваться от более нагретой тела к телу менее нагретому до тех пор, пока их температуры не сравнится, при этом количество теплоты, отданное более горячим телом будет в точности равняться количеству теплоты, полученному телом менее горячим. записать это можно так: Qп = Qo это и есть уравнение теплового баланса для изолированной системы.

Дано: =10 кг, =50 н, =30∘, =0,1, тр−?
решение:

поскольку тело движется относительно плоскости, то в этом случае имеет место сила трения скольжения. её определяют по формуле: тр= получается, что нам нужно найти силу нормальной реакции опоры . тело неподвижно вдоль оси , значит сумма проекций всех сил на эту ось согласно первому закону ньютона равна нулю. +⋅sin—=0 =—⋅sin таким образом, решение в общем виде такое: тр=(—⋅sin) посчитаем численный ответ на калькуляторе. тр=0,1(10⋅10—50⋅sin30∘)=7,5н
ответ7.5н

Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.

Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.

Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.