Черепаха развивает скорость до 0.8 км/ч, слон-до 40 км/ч, кенгуру- до 50 км/ч, заяц-русак- до 60 км/ч, страус- до 80 км/ч, антилопа гну-до 90 км/ч, гепард- до 120 км/ч. рассчитайте время, за которое каждый их них преодолеет олимпийские дистанции за 100, 200 и 400м

Объяснение:

100 м = 0,1 км

200 м = 0,2 км

400 м = 0,4 км

При v = const

s = vt

Тогда

t = s/v

№1 черепаха

t1 = 0,1/0,8 = 0,125 ч = 450 с

t2 = 0,2/0,8 = 0,25 ч = 900 с

t3 = 0,4/0,8 = 0,5 ч = 1800 с

№2 слон

t1 = 0,1/40 = 0,0025 ч = 9 с

t2 = 0,2/40 = 0,005 ч = 18 с

t3 = 0,4/40 = 0,01 ч = 36 с

№3 кенгуру

t1 = 0,1/50 = 0,002 ч = 7,2 с

t2 = 0,2/50 = 0,004 ч = 14,4 с

t3 = 0,4/50 = 0,008 ч = 28,8 с

№4 заяц-русак

t1 = 0,1/60 = 1/600 ч = 6 с

t2 = 0,2/60 = 1/300 ч = 12 с

t3 = 0,4/50 = 1/150 ч = 24 с

№5 страус

t1 = 0,1/80 = 1/800 ч = 4,5 с

t2 = 0,2/80 = 1/400 ч = 9 с

t3 = 0,4/80 = 1/200 ч = 18 с

№6 гепард

t1 = 0,1/120 = 1/1200 ч = 3 с

t2 = 0,2/120 = 1/600 ч = 6 с

t3 = 0,4/120 = 1/300 ч = 12 с

При движении по поверхности полусферы на тело действуют две силы – сила тяжести (зеленая) и сила реакции опоры (красная) . под действием равнодействующей этих сил (синяя) тело движется с ускорением, равным модуль равнодействующей делить на массу.

В момент отрыва от полусферы на тело действует только сила тяжести и не действует сила реакции опоры со стороны полусферы,  

равнодействующая двух сил совпадает с силой тяжести

поэтому ускорение тела В момент отрыва от полусферы равно ускорению свободного падения.

Объяснение:

Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.

Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.

Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.

Примесными центрами могут быть:

атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;

избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;

различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.

Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.

Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).

Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As5+, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.

Энергия отрыва (энергия ионизации) пятого валентного электрона мышьяка в кремнии равна 0,05 эВ = 0,08·10−19 Дж, что в 20 раз меньше энергии отрыва электрона от атома кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка теряют один из своих электронов и становятся положительными ионами. Положительные ионы мышьяка не могут захватить электроны соседних атомов, так как все четыре связи у них уже укомплектованы электронами. В этом случае перемещения электронной вакансии — «дырки» не происходит и дырочная проводимость очень мала, то есть практически отсутствует. Небольшая часть собственных атомов полупроводника ионизирована, и часть тока образуется дырками, то есть донорные примеси — это примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок. В итоге мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа.

В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In3+ атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает». Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.

Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа.

Необходимо отметить, что введение примесей в полупроводники, как и в любых металлах, нарушает строение кристаллической решетки и затрудняет движение электронов. Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. Так, введение примеси бора в количестве 1 атом на сто тысяч атомов кремния уменьшает удельное электрическое сопротивление кремния приблизительно в тысячу раз, а примесь одного атома индия на 108 — 109 атомов германия уменьшает удельное электрическое сопротивление германия в миллионы раз.

Возможность управления удельным сопротивлением благодаря введению примесей используется в полупроводниковых приборах.

Дырочная проводимость не является исключительной особенностью полупроводников. У некоторых металлов и их сплавов существует смешанная электронно-дырочная проводимость за счет перемещений некоторой части неколлективированных валентных электронов. Например, в цинке, бериллии, кадмии, сплавах меди с оловом дырочная составляющая электрического тока преобладает над электронной.

Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости (n- или p-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока — электронов или дырок.

Объяснение: