Дифракционная решетка, имеющая 400 штрихов на 1 мм, расположена параллельно экрану. На решетку перпендикулярно ее плоскости направляют пучок света с длиной волны 620 нм. На экране второй дифракционный максимум наблюдается на расстоянии 6 см от центрального. Определите расстояние от решетки до экрана. Считать sinα ≈ tgα.

Советский физик, академик Абрам Федорович Иоффе родился в городе Ромны. В 1902г. Он окончил Петербургский институт, а в 1905г. - Мюнхенский университет. В 1903 -1906г.г. работал ассистентом у знаменитого немецкого физика В. Рентгена. В его лаборатории А.Ф.Иоффе сделал крупное открытие - обнаружил внутренний фотоэффект в кристаллах диэлектриков. Вернувшись в 1906г. В Россию, он стал преподавателем в Петербургском политехническом институте. А.Ф.Иоффе совершенно по - новому поставил вопрос о подготовке физиков в России. Вместо традиционного повторения работ, выполненных иностранными учеными, он добивался от своих учеников оригинальных самостоятельных исследований, открытия и изучения новых физических явлений. Важнейшая заслуга Иоффе – создание научной школы советских физиков, из которой вышли многие ученые. В 1921 г. Он создал и долгие годы возглавлял Физико - технический институт Академии наук СССР. По его инициативе были созданы Институт полупроводников и Физико -агрономический институт, физико - технические институты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске. А.Ф.Иоффе провел важные исследования в области физики твердого тела. Он первый применил рентгеновские лучи для исследования механизма пластической деформации монокристаллов, обнаружив скольжение слоев кристаллической решетки относительно друг друга. Ему принадлежат классические опыты, демонстрирующие важную роль поверхностных дефектов кристаллов (микроскопических трещинок) в процессах хрупкого разрушения кристаллических тел. Эти опыты разработке высокопрочных материалов. Иоффе одним из первых обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и всесторонне исследовал их свойства. Эти работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники - термо- и фотоэлектрических генераторов и термоэлектрических холодильных устройств. А.Ф.Иоффе - Герой Социалистического Труда, лауреат Ленинской и Государственной премий.  

Энергия связи (для данного состояния системы) — разность между энергией состояния, в котором составляющие части системы бесконечно удалены друг от друга и находятся в состоянии активного покоя и полной энергией связанного состояния системы.

Для системы, состоящей из бесконечно удалённых покоящихся частиц энергию связи принято считать равной нулю, то есть при образовании связанного состояния энергия выделяется. Энергия связи равна минимальной работе, которую необходимо затратить, чтобы разложить систему на составляющие её частицы. Она характеризует стабильность системы: чем выше энергия связи, тем система стабильнее.Для валентных электронов (электронов внешних электронных оболочек) нейтральных атомов в основном состоянии энергия связи совпадает с энергией ионизации, для отрицательных ионов — со сродством электрону.