Плоский конденсатор зарядили и отключили от источника тока, а затем увеличили расстояние между пластинами. что произойдет при этом с электроемкостью конденсатора, зарядом на его обкладках и энергией? физ. величины их изменения а) электроемкость 1) увеличится б) заряд конденсатора 2) уменьшится в) энергия 3) не изменится

Разрешающая дифракционной решетки.

Для спектральных приборов, содержащих дифракционную решетку, важна раздельного наблюдения двух спектральных линий, имеющих близкие длины волн.

раздельного наблюдения двух спектральных линий, имеющих близкие длины волн, называют разрешающей решетки (слайд №25-26).

Если мы хотим разрешить две близкие спектральные линии, то необходимо добиться, чтобы интерференционные максимумы, соответствующие каждой из них, были по возможности более узкими. Для случая дифракционной решетки это означает, что общее число штрихов, нанесенных на решетку, должно быть по возможности очень большим. Так, в хороших дифракционных решетках, имеющих около 500 штрихов на одном миллиметре, при общей длине около 100 мм, полное число штрихов равно 50000.

Решетки в зависимости от их применения бывают металлическими или стеклянными. Лучшие металлические решетки имеют до 2000 штрихов на один миллиметр поверхности, при этом общая длина решетки составляет 100-150 мм. Наблюдения на металлических решетках проводят только в отраженном свете, а на стеклянных – чаще всего в проходящем свете.

Наши ресницы с промежутками между ними представляют собой грубую дифракционную решетку. Если посмотреть, прищурившись, на яркий источник света, то можно обнаружить радужные цвета. Явления дифракции и интерференции света

Объяснение:

При подключении напряжения к р-п переходу с обратной полярностью будем наблюдать ветвь 0-В и ВС.

Уже при Uобр=0.1 - 0.13в  начинает идти обратный ток.Величина обратного тока не зависит от величины обратного напряжения. Обратный ток определяется неосновными носителями и называется тепловым,поскольку неосновные носители образуются в результате процесса термогенерации. А так как собственная проводимость полупроводника невелика, то обратный ток незначителен.

При превышении обратного напр. Uобр.проб.-называемого пробивным, обратный ток Io резко возрастает.Если его не ограничить, то произойдёт электрический пробой р-п перехода, сопровождаемый часто тепловым. Электрический пробой объясняется тем, что при Uобр. больше Uобр.пр. электрическое поле в р-п переходе становится столь сильным, что в состоянии сообщить электронам и дыркам энергию, достаточную для ударной ионизации вещества перехода с лавинообразным процессом размножения дополнительных пар зарядов. Эти пары резкому возрастанию тока. Крвтковременный электрический пробой не приводит к порче р-п перехода,т.е. является обратным явлением. При тепловом пробое происходит недопустимый перегрев р-п перехода и он выходит из строя.

Для ветви 0-ОА: Доминирующей составляющей прямого тока, протекающе через р-п переход, будет та, которая определяется основными носителями заряда области с более высокой концентрацией тока. С увеличением внешнего напряжения приложенного к р-п переходу в прямом направлении   Uпр. увеличивается по экспоненциальному закону. При Uпр.много больше ФИт) переход исчезает и ток ограничивается лишь сопротивлением базовой области, составляющем единици или десятки Ом.

Объяснение: