10 г кислорода находится под давлением 0, 3 мпа при температуре 10°c. после нагревания при постоянном давлении газ занял объем 10 л. найти 1) количество теплоты, полученное газом, 2) изменение внутренней энергии газа, 3) работу, совершенную газом при расширении.

Q;ΔU;A-?

p=0,3МПа=0,3*10⁶Па

T=10°C=283К

V₂=10л=10⁻²м³

m=10г=10⁻²кг

μ=32*10⁻³кг/моль

R=8,31Дж/(кг*К)

pV₁=mRT/μ-рівняння Клапейрона-Менделєєва

V₁=mRT/pμ

V₁=10⁻²*8,31*283/0,3*10⁶*32*10⁻³=245*10⁻⁵=0,245*10⁻²

A=p(V₂-V₁)

A=0,3*10⁶(1*10⁻²-0,245*10⁻²)=0,23*10⁴Дж=2,3*10³Дж=2,3кДж

Оскільки процес ізобарний

V₁/T₁=V₂/T₂

T₂=V₂T₁/V₁

T₂=10⁻²*283/0,245*10⁻²=1155К

ΔU=5mR(T₂-T₁)/2μ

ΔU=5*10⁻²*8,31(1155-283)/2*32*10⁻³=5660Дж=5,66кДж

Q=A+ΔU

Q=2,3+5,66=7,96кДж

Задание 1 ( )

- Прочитайте текст.

- Запишите ключевые слова и выражения (главные, основные, опорные слова и

выражения). Не более 10 слов и 5 выражений

- Запишите основную мысль текста

Глобальное потепление — это глобальная проблема

МЫ РЕДКО ДУМАЕМ О ТОМ, ЧТО ДОЛЖНО СЛУЧИТЬСЯ В БУДУЩЕМ. СЕГОДНЯ У

НАС ДРУГИЕ ДЕЛА, ОБЯЗАННОСТИ И ХЛОПОТЫ. ПОЭТОМУ ГЛОБАЛЬНОЕ ПОТЕПЛЕНИЕ,

ЕГО ПРИЧИНЫ И ПОСЛЕДСТВИЯ ВОСПРИНИМАЮТСЯ БОЛЬШЕ КАК СЦЕНАРИИ ДЛЯ

ГОЛЛИВУДСКИХ ФИЛЬМОВ, НЕЖЕЛИ КАК РЕАЛЬНАЯ УГРОЗА СУЩЕСТВОВАНИЯ

ЧЕЛОВЕЧЕСТВА. КАКИЕ СИГНАЛЫ ГОВОРЯТ О НАДВИГАЮЩЕЙСЯ КАТАСТРОФЕ,

КАКОВЫ ЕЕ ПРИЧИНЫ И КАКОЕ БУДУЩЕЕ НАС ЖДЕТ — ДАВАЙТЕ РАЗБИРАТЬСЯ.

вот

Объяснение:

Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5—2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства. При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая электронный ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительнго иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате переходов связанных электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном — «дырки». Внешне этот процесс хаотического перемещения связанных электронов воспринимается как перемещение поло-жительного заряда. При помещении кристалла в элек¬трическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — дырочный ток проводимости.

В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.

На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей, чем у кристалла, валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуются дополнительные свободные электроны. Именно поэтому примесь называется донорной. Преобладает электронная проводимость, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.

Акцепторная примесь — это примесь с меньшей чем у кристалла валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Преобладает «дырочная» проводимость, а полупроводник называют полупроводником p-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».

Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р—n-перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и n-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в p-область, а «дырок» — наоборот, из р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечным во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».

р—n-Контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью: если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р—n-контакт будет проводить ток, электроны из n-области пойдут в p-область, а «дырки» из p-области в n-область (рис. 22). В первом случае ток не равен нулю, во втором — ток равен нулю. Это означает, что если к р-области подключить «-» источника, а к n-области — «+» источника тока, то запирающий слой расширится и тока не будет.

.