Чому дорівнює загальний опір 18 ламп ялинкової гірлянди , сполучених послідовно , якщо опір кожної 12 Ом ?

1) у морской воды плотность больше
2) давление на дно сосуда определяется формулой  P=плотность *ускорение св. падения тел*высота
плотность керосина=800
ускорение св.п.тел. g=9.8
высота h=0,5
P=800*9.8*0.5 = 3920 Па
3) на тюбик действет сила тяжести и давления
4) не знаю
5) гидростатическое давление
 водыp(гидр)=ρ·g·h
при одинаковой выстоте жидкости самое большое давление будет оказывать вода, так, как у неё самая большая плотность
6) не знаю
7)  объем пузырька воздуха увеличивается. это происходит в результате расширения воздуха: у дна, куда проникает меньше лучей солнца, температура и скорость броуновского движения частиц по орбиталям снижается. ближе к поверхности температура повышается, и кроме того, в игру вступают такие силы, как сила поверхностного натяжения водоема. солнечные лучи выбивают из электронного облака газов, входящих в состав воздуха, лептоны и адроны (явление фотоэффекта), что приводит к повышению давения и расширению пузырька
8)  h=50000:(1000*9,8)=5,1м
9) потому, что сила давления под водой выше чем в открытом пространстве и там выше давления воды
10) Р=gph
p=10Н/кг*1000кг/м3*250м=2500000Па=2,5МПа
11) уменьшается количество воды - уменьшается давление, напор
12)  на глубине 2 м давление воды около 20 000 Н/м2, то есть 2 Н/см2. значит, на площадь 200 см2 придется сила давления, иначе - напор, величиной 400 Н

Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).

Удельное сопротивление металлического проводника зависит от

концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и