?>
Тесты 1. Какая из приведенных формул выражает закон Ома в интегральной форме для участка цепи: а) I= ε/(R+r), b) I= ε^2/(R^2+r^2 ), c) I=U/R, d) I=ε^2/(R+r 2. При нормальной дисперсии показатель преломления n с уменьшением длины волны: a) остается постоянным, b) равен нулю, c) возрастает, d) убывает. 3. Главные дифракционные минимумы к-го порядка (к=1, 2, 3, …) на одиночной щели шириной а наблюдаются под углом ϕ, удовлетворяющих условию: a) sin ϕ = 2k /a, b) sin ϕ = (2k-1) /2a, c) sin ϕ =k /a, d) sin ϕ =k /2a. 4. Физический смысл момента инерции: a) произведение момента силы на время действия, b) мера инертности во вращательном движении, c) произведение силы на плечо. 5. Какая из приведенных ниже формул выражает второй закон Ньютона? a) F = -k∆x, b) F = (d(mv))/dt, c) F = μN, d) F = G(m_1 m_2)/r^2 . 6. Элекроемкость проводника зависит от: a) от свойств окружающей среды, b) геометрических размеров проводника и от формы проводника, c) от наличия вблизи других проводников, d) зависит от всех перечисленных параметров. 7. Первый закон Вина утверждает, что максимум энергетической светимости абсолютно черного тела с увеличением температуры смещается: a) в область низких частот, b) в область длинных длин волн, c) в область высоких частот, d) в область коротких длин волн. 8. По какой из приведенных ниже формул вычисляется значение силы Ампера, действующей на проводнике с током в магнитном поле: a) F = ma, b) F = IBLsinα, c) F = QE, d) F = QvBsinα. 9. Формула Вульфа-Брегга для дифракции на решетке имеет вид: a) 2αsin θ =k , b) 2αsin θ= 3k , c) αsin θ= 3k , d) 2αsin θ= 1/2k . 10. С какой стационарной орбиты на какую переходит электрон в атоме водорода в серии Бальмера, испуская квант с наименьшей частотой? a) с четвертой на вторую, b) со второй на первую, c) с третьей на вторую, d) с третьей на первую.
Ответы
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.