Електронна схема утворення звязку у речовині f2​

Ионная наследственность в неорганических соединениях может проявляться тогда, когда у конкретного компонента соединения есть определенная степень свободы. Такая ситуация возможна, если перенасытить данную неорганическую структуру соответствующей составляющей соединения. Этот эффект проще всего исследовать на щелочногалоидных кристаллах (ЩГК). Сразу оговоримся, что для биообъектов имеет смысл только идеология анализируемых позиций, а никак не количественные характеристики рассматриваемых процессов. Автор оставляет право за читателей
сстраполировать изложенные ниже факты проявления наследстенности на биопроцессы.

В Дальнейшем речь будет идти об изменении состояния разИчНых электронновакансионных (или дырочновакансионных) ефектов (центров окраски), вызывающих ЭМпоглощение в воволновой области спектра оптического поглощения, по сравнению с областью собственного поглощения. Изменение состояния цетров окраски легко контролируется и является хорошим индикаторов структурных изменений.

Ионная наследственность в неорганических соединениях может проявляться тогда, когда у конкретного компонента соединения есть определенная степень свободы. Такая ситуация возможна, если перенасытить данную неорганическую структуру соответствующей составляющей соединения. Этот эффект проще всего исследовать на щелочногалоидных кристаллах (ЩГК). Сразу оговоримся, что для биообъектов имеет смысл только идеология анализируемых позиций, а никак не количественные характеристики рассматриваемых процессов. Автор оставляет право за читателей сстраполировать изложенные ниже факты проявления наследстенности на биопроцессы. В Дальнейшем речь будет идти об изменении состояния разИчНых электронновакансионных (или дырочновакансионных) ефектов (центров окраски), вызывающих ЭМпоглощение в воволновой области спектра оптического поглощения, по сравнению с областью собственного поглощения. Изменение состояния цетров окраски легко контролируется и является хорошим индикаторов структурных изменений.