evlampin
?>

Тело весом 150н полностью погруженное в жидкость. вес вытесненной жидкости равен 100н. какова сила архимеда, действующая на тело?

Физика

Ответы

milenaochirova01017424
Тело весом 150н полностью погруженное в жидкость. вес вытесненной жидкости равен 100н. какова сила архимеда, действующая на тело? сила архимеда равна весу вытесненной телом жидкостизначит сила архимеда fa=100 н
oaved2018
Архимедова сила вычисляется по формуле: fa=g*v*ро
yocrew13

Объяснение:

Адиабатный процесс

АДИАБАТНЫЙ ПРОЦЕСС

АДИАБАТНЫЙ ПРОЦЕСС- процесс, происходящий без теплопередачи (Q=0).

Запись первого з-на термодинамики для А.п. - ΔU=A, где А - работа внешних сил.

Для идеального газа U=U(T). →  Либо работа внешних сил идет на увеличение          внутренней энергии, темп-ра возрастает.  Либо газ совершает работу за счет уменьшения  собственной внутренней энергии (темп-ра убывает).

Уравнение адиабаты: Уравнение адиабаты,

где  сp - теплоемкость при постоянном давлении,

сv - теплоемкость при постоянном объеме.

График адиабатного процесса

Для идеального одноатомного газа: Для идеального одноатомного газ

Т.к.  

 

Адиабатный процесс может быть осуществлен либо в теплоизолированной системе, либо очень быстро (чтобы не успеть передать тепло - взрыв).

Используется для получения жидких газов.

Облако мощного (ядерного) взрыва, облака


Можете подробно объяснить, в чем разница между этими формулами адиабатного процесса? ΔU=A ΔU=-Aг
polina25258

для понимания сути процессов, происходящих в диоде при работе в высокочастотных импульсных цепях рассмотрим прохождение через него прямоугольного сигнала (т.е. сигнала с малой длительностью фронта и среза). при этом диод включается по схеме, на рис. 3.1-1.

 

рис. 3.1-1. схема включения диода при рассмотрении переходных процессов

 

в случае, когда входной прямоугольный сигнал является двуполярным, переходные процессы в диоде будут характеризоваться диаграммами, представленными на рис. 3.1-2.

 

рис. 3.1-2. переходные процессы в диоде при прохождении через него двуполярного прямоугольного сигнала

 

для анализа зависимостей можно воспользоваться выражением для тока диода в переходном режиме:

iд=qбτб+dqбdt+cбdup−ndt  ,

где:

qб  — объемный заряд неосновных носителей в области базы диода; τб  — время жизни неосновных носителей в области базы; cб  — барьерная емкость перехода; up−n  — напряжение на  p-n-переходе диода.

 

первое слагаемое выражения связано с рекомбинацией неосновных носителей в области базы. второе слагаемое определяет изменение во времени объемного заряда неосновных носителей в области базы. третье — обусловлено перезарядом барьерной емкости  p-n-перехода при изменении входного сигнала во времени.

таким образом, основными причинами инерционности заряда являются: эффект накопления избыточного заряда в базовой области прибора и наличие барьерной емкости перехода.

 

рассмотрим участок времени  [t0; t1], когда входное напряжение скачком увеличивается от  –uвхобр  до  +uвхпр.

при увеличении прямого тока сопротивление базы диода уменьшается (эффект модуляции сопротивления области базы). поскольку скорость накопления избыточного заряда в области базы конечна, то установление прямого сопротивления диода требует некоторого времени. учитывая, что  rн≫rдпр, можно показать, что ток диода не зависит от его сопротивления. поэтому эффект модуляции сопротивления базы приводит к появлению резкого выброса напряжения на диоде при его включении.

перезаряд барьерной емкости диода  cб, наоборот, ведет к замедлению скорости увеличения напряжения на диоде.

вследствие действия двух противоположных тенденций реальный вид переходного процесса определяется конкретным соотношением параметров диода. при малых уровнях инжекции превалирующими являются процессы, связанные с перезарядом емкости  cб. при больших уровнях инжекции — процессы, связанные с изменением объемного заряда области базы. поэтому для диодов различных типов переходные процессы при включении могут иметь качественно отличный вид. на на рис. 3.1-2 диаграмме представлен случай большого уровня инжекции и соответственно малого влияния  cб.

длительность всплеска напряжения на диоде  τу  называется  временем установления. рассчитанное для  1,2uдпр, оно примерно равно:   τу≈2,3tб  , а максимальное падение напряжения на диоде:

uдпрmax≈φк+iпр⋅rдб,

где:

φк  — контактная разность потенциалов,rдб  — сопротивление области базы диода.

 

интервал времени [t1; t2] характеризует установившийся режим в диодном ключе. в базовой области диода накоплен избыточный заряд неосновных носителей  qб=iпр⋅τб. концентрация избыточных носителей при этом падает по мере удаления от перехода. прямой ток, протекающий через диод, равен:

iпр=uвхпр–uдпрrдпр+rн.

 

в момент времени  t2  входное напряжение изменяет свою полярность на обратную. однако до момента  t4  диод будет находиться в проводящем состоянии. до момента  t3  через него в обратном направлении будет протекать ток, импульсное значение которого  iобр  и соизмеримо с  iпр. далее, по мере рассасывания объемного заряда неосновных носителей в области базы и разряда барьерной емкости на интервале  [t3; t4], обратный ток через диод будет уменьшаться, стремясь к своему установившемуся значению.

Ответить на вопрос

Поделитесь своими знаниями, ответьте на вопрос:

Тело весом 150н полностью погруженное в жидкость. вес вытесненной жидкости равен 100н. какова сила архимеда, действующая на тело?
Ваше имя (никнейм)*
Email*
Комментарий*

Популярные вопросы в разделе

Andrei_Mariya
anna241273
Ingakazakova
agutty3
ibombenkova
MaratФам
svetkaiv
Leonidovich_Elena771
oldprince840
Ka-tja78
yulialoveinthelow2010
Shirochkingames
Arutyunovich
bespalovaannaanna
natapetrova20017