Объяснение:
Адиабатный процесс
АДИАБАТНЫЙ ПРОЦЕСС
АДИАБАТНЫЙ ПРОЦЕСС- процесс, происходящий без теплопередачи (Q=0).
Запись первого з-на термодинамики для А.п. - ΔU=A, где А - работа внешних сил.
Для идеального газа U=U(T). → Либо работа внешних сил идет на увеличение внутренней энергии, темп-ра возрастает. Либо газ совершает работу за счет уменьшения собственной внутренней энергии (темп-ра убывает).
Уравнение адиабаты: Уравнение адиабаты,
где сp - теплоемкость при постоянном давлении,
сv - теплоемкость при постоянном объеме.
График адиабатного процесса
Для идеального одноатомного газа: Для идеального одноатомного газ
Т.к.
Адиабатный процесс может быть осуществлен либо в теплоизолированной системе, либо очень быстро (чтобы не успеть передать тепло - взрыв).
Используется для получения жидких газов.
Облако мощного (ядерного) взрыва, облака
для понимания сути процессов, происходящих в диоде при работе в высокочастотных импульсных цепях рассмотрим прохождение через него прямоугольного сигнала (т.е. сигнала с малой длительностью фронта и среза). при этом диод включается по схеме, на рис. 3.1-1.
рис. 3.1-1. схема включения диода при рассмотрении переходных процессов
в случае, когда входной прямоугольный сигнал является двуполярным, переходные процессы в диоде будут характеризоваться диаграммами, представленными на рис. 3.1-2.
рис. 3.1-2. переходные процессы в диоде при прохождении через него двуполярного прямоугольного сигнала
для анализа зависимостей можно воспользоваться выражением для тока диода в переходном режиме:
iд=qбτб+dqбdt+cбdup−ndt ,
где:
qб — объемный заряд неосновных носителей в области базы диода; τб — время жизни неосновных носителей в области базы; cб — барьерная емкость перехода; up−n — напряжение на p-n-переходе диода.
первое слагаемое выражения связано с рекомбинацией неосновных носителей в области базы. второе слагаемое определяет изменение во времени объемного заряда неосновных носителей в области базы. третье — обусловлено перезарядом барьерной емкости p-n-перехода при изменении входного сигнала во времени.
таким образом, основными причинами инерционности заряда являются: эффект накопления избыточного заряда в базовой области прибора и наличие барьерной емкости перехода.
рассмотрим участок времени [t0; t1], когда входное напряжение скачком увеличивается от –uвхобр до +uвхпр.
при увеличении прямого тока сопротивление базы диода уменьшается (эффект модуляции сопротивления области базы). поскольку скорость накопления избыточного заряда в области базы конечна, то установление прямого сопротивления диода требует некоторого времени. учитывая, что rн≫rдпр, можно показать, что ток диода не зависит от его сопротивления. поэтому эффект модуляции сопротивления базы приводит к появлению резкого выброса напряжения на диоде при его включении.
перезаряд барьерной емкости диода cб, наоборот, ведет к замедлению скорости увеличения напряжения на диоде.
вследствие действия двух противоположных тенденций реальный вид переходного процесса определяется конкретным соотношением параметров диода. при малых уровнях инжекции превалирующими являются процессы, связанные с перезарядом емкости cб. при больших уровнях инжекции — процессы, связанные с изменением объемного заряда области базы. поэтому для диодов различных типов переходные процессы при включении могут иметь качественно отличный вид. на на рис. 3.1-2 диаграмме представлен случай большого уровня инжекции и соответственно малого влияния cб.
длительность всплеска напряжения на диоде τу называется временем установления. рассчитанное для 1,2uдпр, оно примерно равно: τу≈2,3tб , а максимальное падение напряжения на диоде:
uдпрmax≈φк+iпр⋅rдб,
где:
φк — контактная разность потенциалов,rдб — сопротивление области базы диода.
интервал времени [t1; t2] характеризует установившийся режим в диодном ключе. в базовой области диода накоплен избыточный заряд неосновных носителей qб=iпр⋅τб. концентрация избыточных носителей при этом падает по мере удаления от перехода. прямой ток, протекающий через диод, равен:
iпр=uвхпр–uдпрrдпр+rн.
в момент времени t2 входное напряжение изменяет свою полярность на обратную. однако до момента t4 диод будет находиться в проводящем состоянии. до момента t3 через него в обратном направлении будет протекать ток, импульсное значение которого iобр и соизмеримо с iпр. далее, по мере рассасывания объемного заряда неосновных носителей в области базы и разряда барьерной емкости на интервале [t3; t4], обратный ток через диод будет уменьшаться, стремясь к своему установившемуся значению.
Поделитесь своими знаниями, ответьте на вопрос:
Тело весом 150н полностью погруженное в жидкость. вес вытесненной жидкости равен 100н. какова сила архимеда, действующая на тело?