На электрокаре э.д.с аккумуляторной батареи равно 80 в , а внутреннее сопротивление 2 ом определить сопротивление электрическогомотора и напряжение , под каторым он работает, если потребляемый ток равен 20 а

U=e-ir u=80-2*20=80-40=40в r=(e-u)/i r=(80-40)/20=40/20=2(ом)

Рычаг - простейший механизм, позволяющий меньшей силой уравновесить большую;   представляет собой твёрдое тело, вращающееся вокруг неподвижной опоры.  рычаг используется для получения большего усилия на коротком плече с   меньшего усилия на длинном плече (или для получения большего перемещения на  длинном плече с меньшего перемещения на коротком плече) . сделав плечо  рычага достаточно длинным, теоретически, можно развить любое усилие.  во многих случаях в повседневной жизни мы пользуемся такими простейшими  механизмами, как:   •наклонная плоскость,  •с блоков,  •используют также клин, винт.  такие инструменты, как мотыга или весло, применялись, чтобы уменьшить силу,  которую необходимо было прикладывать человеку. безмен, позволивший изменять  плечо приложения силы, что сделало использование весов более удобным. пример  составного рычага, используемого в повседневной жизни, можно найди в щипчиках  для ногтей. подъемные краны, двигатели, плоскогубцы, ножницы, а также тысячи  других механизмов и инструментов используют рычаги в своей конструкции.  рычаги так же распространены и в быту. вам было бы гораздо сложнее открыть туго завинченный водопроводный кран, если бы у него не было ручки в 3-5 см, которая представляет собой маленький, но эффективный рычаг. то же самое относится к гаечному ключу, которым вы откручиваете или закручиваете болт или гайку. чем длиннее ключ, тем легче вам будет открутить эту гайку, или наоборот, тем туже вы сможете её затянуть. при работе с особо крупными и тяжелыми болтами и гайками, например при ремонте различных механизмов, автомобилей, станков, используют гаечные ключи с рукояткой до метра.  другой яркий пример рычага в повседневной жизни – самая обычная дверь. попробуйте открыть дверь, толкая её возле крепления петель. дверь будет поддаваться тяжело. но чем дальше от дверных петель будет располагаться точка приложения усилия, тем легче вам будет открыть дверь.  прыжки в высоту с шестом – тоже наглядный пример. при рычага длинной около трех метров (длинна шеста для прыжков в высоту – около пяти метров, следовательно, длинное плечо рычага, начинающееся в месте перегиба шеста в момент прыжка, составляет около трех метров) и правильного приложения усилия, спортсмен взлетает на головокружительную высоту до шести метров. 

для понимания сути процессов, происходящих в диоде при работе в высокочастотных импульсных цепях рассмотрим прохождение через него прямоугольного сигнала (т.е. сигнала с малой длительностью фронта и среза). при этом диод включается по схеме, на рис. 3.1-1.

 

рис. 3.1-1. схема включения диода при рассмотрении переходных процессов

 

в случае, когда входной прямоугольный сигнал является двуполярным, переходные процессы в диоде будут характеризоваться диаграммами, представленными на рис. 3.1-2.

 

рис. 3.1-2. переходные процессы в диоде при прохождении через него двуполярного прямоугольного сигнала

 

для анализа зависимостей можно воспользоваться выражением для тока диода в переходном режиме:

iд=qбτб+dqбdt+cбdup−ndt  ,

где:

qб  — объемный заряд неосновных носителей в области базы диода; τб  — время жизни неосновных носителей в области базы; cб  — барьерная емкость перехода; up−n  — напряжение на  p-n-переходе диода.

 

первое слагаемое выражения связано с рекомбинацией неосновных носителей в области базы. второе слагаемое определяет изменение во времени объемного заряда неосновных носителей в области базы. третье — обусловлено перезарядом барьерной емкости  p-n-перехода при изменении входного сигнала во времени.

таким образом, основными причинами инерционности заряда являются: эффект накопления избыточного заряда в базовой области прибора и наличие барьерной емкости перехода.

 

рассмотрим участок времени  [t0; t1], когда входное напряжение скачком увеличивается от  –uвхобр  до  +uвхпр.

при увеличении прямого тока сопротивление базы диода уменьшается (эффект модуляции сопротивления области базы). поскольку скорость накопления избыточного заряда в области базы конечна, то установление прямого сопротивления диода требует некоторого времени. учитывая, что  rн≫rдпр, можно показать, что ток диода не зависит от его сопротивления. поэтому эффект модуляции сопротивления базы приводит к появлению резкого выброса напряжения на диоде при его включении.

перезаряд барьерной емкости диода  cб, наоборот, ведет к замедлению скорости увеличения напряжения на диоде.

вследствие действия двух противоположных тенденций реальный вид переходного процесса определяется конкретным соотношением параметров диода. при малых уровнях инжекции превалирующими являются процессы, связанные с перезарядом емкости  cб. при больших уровнях инжекции — процессы, связанные с изменением объемного заряда области базы. поэтому для диодов различных типов переходные процессы при включении могут иметь качественно отличный вид. на на рис. 3.1-2 диаграмме представлен случай большого уровня инжекции и соответственно малого влияния  cб.

длительность всплеска напряжения на диоде  τу  называется  временем установления. рассчитанное для  1,2uдпр, оно примерно равно:   τу≈2,3tб  , а максимальное падение напряжения на диоде:

uдпрmax≈φк+iпр⋅rдб,

где:

φк  — контактная разность потенциалов,rдб  — сопротивление области базы диода.

 

интервал времени [t1; t2] характеризует установившийся режим в диодном ключе. в базовой области диода накоплен избыточный заряд неосновных носителей  qб=iпр⋅τб. концентрация избыточных носителей при этом падает по мере удаления от перехода. прямой ток, протекающий через диод, равен:

iпр=uвхпр–uдпрrдпр+rн.

 

в момент времени  t2  входное напряжение изменяет свою полярность на обратную. однако до момента  t4  диод будет находиться в проводящем состоянии. до момента  t3  через него в обратном направлении будет протекать ток, импульсное значение которого  iобр  и соизмеримо с  iпр. далее, по мере рассасывания объемного заряда неосновных носителей в области базы и разряда барьерной емкости на интервале  [t3; t4], обратный ток через диод будет уменьшаться, стремясь к своему установившемуся значению.