Лабораторная работа по 11 класс определение показателя преломления стекла

Нам нужны углы α и β. Чтобы их найти измерь транспортиром <1 (рис 1) и <2 (рис 2). Тогда
α=90 - <1
β=90 - <2
Находим показатель преломления
n=sin<1/sin<2
Подставляешь числа, считаешь на калькуляторе, получаешь ответ.

<1=30°    <2=50°
α=90° - 30°=60°
β=90 - 50°=40°
n=sin60°/sin40°≈1,35 ну такое еще пойдет, хотя тоже маловато!


Нужно расположить призму так, чтобы верхняя сторона шла ровно по линии клеточек. А точка О, где падает луч, тоже лежала ровно на границе клеточек. Точка О должна располагаться приблизительно  в центре листа. Затем циркулем проводим окружность радиуса 10 см (так удобнее считать будет, хотя можно и другое значение)
Из т.О проводим линию вертикално вверх и вниз.
Из т.О делаем продолжения твоих черных линий до пересечения с окружностью
Получаем т.А и т.C.
Строго горизонтально проводим отрезка АB и CD
Измеряем их длину в см (например, 5,6 см)
Тогда 
sinα=AB/AO
sinβ=CD/OC
AO=OC
n=sinα/sinβ=AB/AO:CD/OC=AB/CD
Вычисляем
n=AB/CD=

Искусственные спутники Земли. ИСЗ Искусственный спутник Земли (ИСЗ) беспилотный космический аппарат, вращающийся вокруг Земли по геоцентрической орбите.космический." — Транскрипт:

1 Искусственные спутники Земли 

2 ИСЗ Искусственный спутник Земли (ИСЗ) беспилотный космический аппарат, вращающийся вокруг Земли по геоцентрической орбите.космический аппаратЗемли геоцентрической орбите 

3 …немного из истории… Искусственные спутники Земли широко используются для научных исследований и прикладных задач (военные спутники, исследовательские спутники, метеорологические спутники, навигационные спутники, спутники связи), а также в образовании (в России запущен ИСЗ созданный преподавателями, аспирантами и студентами МГУ, планируется запуск спутника МГТУ им. Баумана) и хобби радиолюбительские спутники.военные спутники исследовательские спутники метеорологические спутникинавигационные спутникиспутники связиМГУ МГТУ им. Баумана радиолюбительские 

4 ИСЗ запускаются более чем 40 различными странами (а также отдельными компаниями) с как собственных ракет- носителей, так и предоставляемых в качестве пусковых услуг другими странами и межгосударственными и частными организациями.собственных 

6 Первый в мире искусственный спутник Земли запущен в СССР 4 октября 1957 годаСССР4 октября1957 года 

10 Первый китайский спутник 24 апреля 1970 года («Dongfanghong-I»)китайский24 апреля 1970 года«Dongfanghong-I» 

11 Первый ИСЗ запущенный в Иране 

12 Астрономические спутники – предназначены для исследования планет, галактик и других космических объектов. Биоспутники – предназначены для проведения научных экспериментов над живыми организмами, в условиях космоса. Метеорологические спутники – предназначены для передачи данных в целях предсказания погоды, а так же для наблюдения климата Земли. 

13 А так же: Космические станции; Навигационные спутники; Разведывательные спутники; Спутники связи; Телекоммуникационные спутники; Экспериментальные спутники. 

Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.

Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.

Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.

Примесными центрами могут быть:

атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;

избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;

различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.

Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.

Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).

Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As5+, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.

Энергия отрыва (энергия ионизации) пятого валентного электрона мышьяка в кремнии равна 0,05 эВ = 0,08·10−19 Дж, что в 20 раз меньше энергии отрыва электрона от атома кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка теряют один из своих электронов и становятся положительными ионами. Положительные ионы мышьяка не могут захватить электроны соседних атомов, так как все четыре связи у них уже укомплектованы электронами. В этом случае перемещения электронной вакансии — «дырки» не происходит и дырочная проводимость очень мала, то есть практически отсутствует. Небольшая часть собственных атомов полупроводника ионизирована, и часть тока образуется дырками, то есть донорные примеси — это примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок. В итоге мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа.

В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In3+ атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает». Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.

Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа.

Необходимо отметить, что введение примесей в полупроводники, как и в любых металлах, нарушает строение кристаллической решетки и затрудняет движение электронов. Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. Так, введение примеси бора в количестве 1 атом на сто тысяч атомов кремния уменьшает удельное электрическое сопротивление кремния приблизительно в тысячу раз, а примесь одного атома индия на 108 — 109 атомов германия уменьшает удельное электрическое сопротивление германия в миллионы раз.

Возможность управления удельным сопротивлением благодаря введению примесей используется в полупроводниковых приборах.

Дырочная проводимость не является исключительной особенностью полупроводников. У некоторых металлов и их сплавов существует смешанная электронно-дырочная проводимость за счет перемещений некоторой части неколлективированных валентных электронов. Например, в цинке, бериллии, кадмии, сплавах меди с оловом дырочная составляющая электрического тока преобладает над электронной.

Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости (n- или p-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока — электронов или дырок.

Объяснение: