Тіло масою М=300 г вільно падає з висоти Н=10 м. На висоті Н/2 в тіло попадає і застряє в ньому куля масою m=10 г, яка летіла горизонтально зі швидкістю v 0 =400 м/с. Знайти швидкість тіла і кут, що утворює вектор швидкості з горизонтом в момент після зіткнення.

Объяснение:

m=60 кг

p= 1000 кг/м^3

g= 10 Н/кг

m1=500 кг

L1=0,5 м.

L2=3*L

V1=V2

ΔT=?

F1=m1*g = 500*10 = 5000 H

по правилу моментов

F1*L1=F2*L2

F2=F1*L1 / L2 =F1*L1 / 3*L1 = F1 / 3 = 5000/3=1666.7 H

плотность второго груза меньше первого в 3 раза.

Тогда натяжение троса в воздухе

Т1 = F1+F2 = 5000+1666.7 == 6667 H

при погружении в воду

(F1 - p*g*V)*L1 = (F2 - p*g*V +m*g)*L2

F1 - p*g*V = (F2 - p*g*V +m*g)*3

F1 - p*g*V = 3*F2 - 3*p*g*V +3*m*g

5000 - 10*1000*V = 3*1666.7 - 3*1000*10*V +3*60*10

5000 -10000*V = 5000 - 30000*V +1800

-10*V =  - 30*V +1.8

20V = 1.8

отсюда объем

V=0.09 м^3

найдем архимедову силу

Fa=p*g*V = 1000*10*0.09 = 900 Н

найдем натяжение когда грузы в воде

T2=(F1 - Fa) + (F2+m*g - Fa) = (5000-900) + (1667+60*10-900) ==5467 H

найдем разность натяжений

ΔT = T1-T2 = 6667 - 5467 = 1200 Hьютон

вот

Объяснение:

Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5—2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства. При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая электронный ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительнго иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате переходов связанных электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном — «дырки». Внешне этот процесс хаотического перемещения связанных электронов воспринимается как перемещение поло-жительного заряда. При помещении кристалла в элек¬трическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — дырочный ток проводимости.

В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.

На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей, чем у кристалла, валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуются дополнительные свободные электроны. Именно поэтому примесь называется донорной. Преобладает электронная проводимость, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.

Акцепторная примесь — это примесь с меньшей чем у кристалла валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Преобладает «дырочная» проводимость, а полупроводник называют полупроводником p-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».

Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р—n-перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и n-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в p-область, а «дырок» — наоборот, из р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечным во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».

р—n-Контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью: если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р—n-контакт будет проводить ток, электроны из n-области пойдут в p-область, а «дырки» из p-области в n-область (рис. 22). В первом случае ток не равен нулю, во втором — ток равен нулю. Это означает, что если к р-области подключить «-» источника, а к n-области — «+» источника тока, то запирающий слой расширится и тока не будет.

.