За час тренировки лошадь пробежала по ипподрому 10, 5 кругов по 400 м. Чему равен путь и перемещение лошади?

ответ:путь 4200м

перемещение 100м

Объяснение:

Полупроводники бывают:

1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;

2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;

3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.

Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.

Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.

Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .

В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.

В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.

Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.

Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник

В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.

В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .

Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.

1
ДАноV=10 см³=10⁻⁵ м³ρ керосина=800 кг/м³Найти F-?
Решение: F = ρ*g*V=800 кг/м³*10*10⁻⁵м³=0,08 H
2F=ρgV=> V=F/ρgF=500Н
 Выталкивающая силаρ=1000 кг/м^3
 Плотность жидкостиg=10м/с^2 
Ускорение свободного паденияV=500/(1000*10)=0.05 м^3ответ: 
Объем металлического шарика составляет 0.05 м^3
3Дано:m=270г=0,27кгV=30см3=30/1000000=0,00003м3Найти F?Решение:FA=pgVP(вес тела в воздухе)=mg=0,27*9,8=2,646HFA=1000*9,8*0,00003=0,294HF=P-FA=2,646-0,294=2,352Hответ: 2,352Неще так можнотяжести должна быть равна F архимеда    Fтяж = Fарх  Fтяж = mgFарх  = pgV плотномть воды  р = 100030 куб сант = 0,00003 куб метр его плотность270/30=9г/см в кубе
сила тяжести=mg=0,27кг*9,8н/кг=2,7Н 
АРХИМЕДОВА сила=1000кг/м в кубе*9,8н/кг*0,00003м в кубе=0,3Н 
Удерживающая сила:=2,7-0,3=2,4Н